閩都創新實驗室（以下簡稱“實驗室”）于2019年9月獲福建省委省政府授牌成立，是福建省首批四家省創新實驗室之一。實驗室由福州市人民政府牽頭，依托中國科學院福建物質結構研究所和福州大學建設。實驗室主任為中國科學院院士、福建物質結構研究所研究員洪茂椿。
實驗室聚焦光電信息科技與產業戰略需求，布局戰略性先進光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知三大研究方向，開展目標和問題導向的重大科學問題和核心關鍵技術攻關，實現光電信息產業核心技術自主可控，把實驗室建成光電信息領域國際一流的創新創業創造高地和高層次人才培養基地，為促進光電信息產業集群跨越式發展、推動福建省高質量發展提供強有力支撐。
功率型氮化鎵基材外延生長研發與產業化示范項目組主要從事6英寸Si基板GaN外延片生長關鍵技術研發與產業化示范，提高外延片良率，實現中試及以上規模。根據工作需要，項目組擬招聘以下崗位：
一、招聘需求
| 研究方向 | 招聘人數 | 崗位職責 | 崗位要求 |
| 外延設備工程師 |
1 |
1、負責MOCVD及光學檢測設備硬件的安裝、調試； 2、負責MOCVD機臺的日常維護，對機臺進行定期檢修和維護，負責異常情況的處理； 3、負責設備安全操作、安全知識的教育和培訓工作，并編寫設備SOP手冊。 4、完成交辦的其他任務。 |
1、本科及以上學歷，機械、電子、機電工程、自動化相關專業，或具備兩年以上半導體、光電子相關工作經驗； |
| 芯片器件開發工程師 |
1 |
1、負責協助氮化鎵芯片產品設計與開發； 2、解決芯片開發過程中的相關設計、工藝、參數、可靠性等問題，保障芯片開發正常推進； 3、能夠對芯片進行失效分析。 |
1、本科及以上學歷，精通半導體物理、半導體器件物理、半導體光電子學等專業學科； 2、精通器件仿真軟件及測試設備，能夠對芯片結構、電學等性能進行分析； 3、3年以上半導體芯片開發、設計、市場應用等相關經驗。 |
二、薪酬福利
1、薪酬待遇：執行實驗室現有的具有市場競爭力的薪酬和績效標準。
2、人才政策：實驗室可協助申請各類人才配套待遇。符合實驗室高層次人才評定條件的，應聘時可按照有關規定申請高層次人才及配套待遇的認定。
3、人才培養：實驗室堅持績效和目標導向，在職稱評定、學術交流與培訓等方面向青年骨干人員傾斜，助力青年人才快速成長。
4、基本保障：按照福州市相關繳費比例繳納五險一金，享受國家規定的各類假期、帶薪年休假、人才公寓、年度體檢等福利待遇。
三、應聘流程
1、應聘申請材料：應聘申請表、身份證/護照、學歷/學位證書、學術成就目錄、獲獎證明、專利證書等復印件以及本人認為有必要提供的其他相關材料；
2、應聘申請材料以“崗位名稱+姓名”命名發送至：Talents
fjoel.cn；
3、招聘考核分為資格審查、專家面試、室務會審批、公示等環節。對于通過資格審查的應聘者，由實驗室組織評審專家對應聘者進行面試。相關崗位未招滿前，崗位招聘啟事長期有效。應聘資料恕不退還，實驗室將予以保密。
四、聯系方式
1、聯系電話：+86-0591-63173852，13459196744 林老師
2、實驗室網址：http://fjoel.cn/
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中國-博士人才網發布
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