一、申請條件

1.遵守中華人民共和國法律法規，具有良好的科學道德，自覺踐行新時代科學家精神；

2.出生日期在1985年1月1日（含）以后；

3.具有博士學位；

4.研究方向主要為自然科學、工程技術等；

5.在取得博士學位后至2025年9月15日前，一般應在海外知名高校、科研機構、企業研發機構獲得正式教學或者科研職位，且具有連續36個月以上工作經歷；在海外取得博士學位且業績特別突出的，可適當放寬工作年限要求，在海外工作期間，同時擁有境內帶薪酬職位的申請人，其境內帶薪酬職位的工作年限不計入海外工作年限；

6.取得同行專家認可的科研或技術等成果，且具有成為該領域學術帶頭人或杰出人才的發展潛力；

7.申請人尚未全職回國（來華）工作，或者2024年1月1日以后回國（來華）工作。獲資助通知后須辭去海外工作并全職回國（來華）工作不少于3年。

詳細申報條件請參見網址：

*國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（海外）項目指南（新增批次）

二、待遇保障

研究所誠邀半導體科學與技術相關領域，包括凝聚態物理、半導體物理、半導體器件物理、半導體材料與器件、半導體光電子學、微電子學與固體電子學、物理電子學、集成電路科學與工程、光學工程、電路與系統、電子信息、材料與化工等學科方向的優秀青年人才加入，并給予國家自然科學基金優秀青年科學基金項目（海外）入選者如下崗位待遇：

1.聘任為研究員（正高級編制崗位)、博士生導師。可加入建制化國家級研究團隊，或獨立設立課題組、研究所協助建立研究團隊。

2.900萬元以上的科研經費（含項目評估優秀追加200萬元）。

3.提供具有國際競爭力的薪酬待遇。

4.除國家和中國科學院100萬元生活補貼外，研究所提供租房補貼、特殊人才津貼、住房補貼等各項津補貼以及全方位的福利保障。

5.其他支持：提供科研所需的辦公和實驗用房；享受人才長租房，提供直至退休的人才長租房政策；按照相關政策解決本人及配偶、子女在京落戶，及子女入托入學等。

三、研究所介紹

1956年，在新中國首個中長期科學技術發展的綱領性文件——《1956-1967年科學技術發展遠景規劃》中，半導體科學技術被確立為國家新技術發展的四大緊急措施之一。為奠定中國半導體科學技術研究的基石、構建系統化的研發體系，我國于1960年9月在北京成立中國科學院半導體研究所(Institute of Semiconductors, CAS)，開啟了中國半導體科學技術的發展之路。

建所65年來，半導體研究所在我國半導體科技發展的各個歷史階段均做出了重大貢獻，取得了令人矚目的成就：中國第一根鍺單晶、硅單晶、砷化鎵單晶，第一只鍺晶體管、硅平面晶體管，第一塊集成電路，第一臺硅單晶爐、區熔爐等，均誕生于半導體研究所。研究所共獲得國家級獎勵近40項，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。

半導體研究所作為集半導體物理、材料、器件研究及系統應用為一體的國家級綜合性研究機構，擁有兩個全國重點實驗室——光電子材料與器件全國重點實驗室、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室；兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；一個院級實驗室——中國科學院固態光電信息技術重點實驗室；還設有納米光電子實驗室、人工智能與高速電路實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室、寬禁帶半導體研發中心、光電子工程中心、半導體集成技術工程研究中心和元器件檢測中心。現有職工700余人，其中包括中國科學院院士8名，中國工程院院士1名，高層次引進人才計劃入選者53人，國家級領軍人才計劃入選者28人，國家級青年人才計劃入選者19人。研究所設有3個博士后流動站，擁有8個學術型學科專業博士和碩士培養點，以及2個專業學位領域培養點。作為中國科學院大學材料科學與光電技術學院的主辦單位，研究所主辦的“材料科學與工程”學科入選國家一流學科。

研究所科研條件支撐平臺

研究所構建了覆蓋半導體研發制造全鏈條的國際一流設施和技術體系，涵蓋材料仿真、分子束外延生長、納米光刻、等離子刻蝕、先進封裝及晶圓級測試等全流程能力，包括：從原子級到系統級半導體材料與器件仿真，從分子束外延到納米級電子束光刻系統，從等離子體刻蝕系統到晶圓級先進封裝，以及完備的材料表征實驗室和晶圓級測試平臺。研究所現有百級/千級超凈實驗室總面積逾6000平方米，大型半導體設備種類齊全，可制備III-V族化合物、寬禁帶以及硅基等多種先進半導體材料與器件，工作波長覆蓋紫外、可見光、紅外、太赫茲至微波波段，形成了“機理-設計-制造-封裝-測試”五位一體的完整研發閉環，可為微電子和光電子系統提供從原型開發到小批量試制的全周期支撐。

光電子材料與器件全國重點實驗室

使命定位：面向光電子材料與器件前沿領域，聚焦異質異構集成、多維光電調控與多功能一體化等關鍵技術，開展前瞻性與原創性研究，構建“產-學-研”融合科技攻關聯合體，滿足國家光通信領域對高端光電子材料與器件的重大需求。

特色成果：長期深耕光電子材料與器件前沿，構建了貫穿半導體光電子“機理-材料-芯片-器件-應用”全鏈條研發體系。材料體系涵蓋InP、GaAs、GaSb、硅基、鐵電等Ⅲ-Ⅴ族化合物及新型半導體材料。在半導體激光器、調制器、探測器及光子集成等核心光電子材料與器件領域長期處于國內領先、國際先進水平。目前已經形成從材料外延、器件制備、芯片集成、封裝測試到系統應用的自主可控技術體系，是我國光電子材料與器件領域的核心研究單元。

四、聯系人及聯系方式：

聯系人：李明

聯系郵箱：ml@semi.ac.cn

電話：010-82304347

五、半導體芯片物理與技術全國重點實驗室

使命定位：在極限尺度半導體器件的物理源頭進行理論創新，突破后摩爾時代半導體芯片的物理與技術瓶頸，構建突破極限尺度半導體器件關鍵物理瓶頸的原創理論與技術方案，聯合企業開展關鍵技術示范驗證，為我國半導體產業的發展提供源頭和底層創新支撐。

特色成果：半導體物理領域唯一全國重點實驗室，在能帶理論、低維半導體、自旋器件等方面形成優勢特色并做出重大歷史貢獻，獲國家最高科學技術獎1項、國家自然科學二等獎5項，正在建設國際半導體物理人才高地，年均經費1.2億元。

聯系人：駱軍委

聯系郵箱：jwluo@semi.ac.cn

電話：010-82304019

中國科學院固態光電信息技術重點實驗室

使命定位：實驗室面向半導體光電領域需求，開展基礎理論、新材料與高端芯片研究，突破單晶、外延、激光器、功率器件、集成電路等核心技術，構建自主創新體系，培養領軍人才，推動研用協同與學科融合，為技術進步與產業升級提供科技支撐。

特色成果：本實驗室是國內唯一覆蓋GaN、GaAs、InP、InAs、GaSb、SiC和金剛石多材料體系，實現紫外至長波紅外激光器的研究平臺。國內率先開展光子晶體、量子級聯及氮化物激光器研究，保持國際先進水平。獲國家級、省部級獎勵10余項，彰顯了在半導體激光器領域的領先地位與貢獻。

聯系人：齊愛誼

郵箱：qiaiyi@semi.ac.cn

電話：010-82304482

六、申請程序

1.歡迎來電來信咨詢，并將簡歷及代表性成果于2025年9月1日前發送至半導體研究所人事教育處hr@semi.ac.cn 。

2.通過與半導體研究所簽訂工作意向協議書，依托半導體研究所申報國家自然科學基金優秀青年科學基金項目。

七、聯系方式

地址：北京市海淀區清華東路甲35號（郵編：100083）中國科學院半導體研究所人事教育處

聯系人：吳老師、徐老師

郵箱：hr@semi.ac.cn

電話：86-10-82304192，86-10-82304307

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