中心簡介
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心成立于2019年2月28日，是新時代浙江大學(xué)和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺，是浙江省深入貫徹習(xí)近平總書記考察浙江重要講話精神、全面落實省委十四屆七次全會部署、建設(shè)高水平創(chuàng)新型省份，打造“互聯(lián)網(wǎng)+”、新材料和生命健康三大科創(chuàng)高地的重大標(biāo)志性工程。科創(chuàng)中心致力建設(shè)面向人才培養(yǎng)、前沿科技和社會服務(wù)的新型大學(xué)校區(qū)，推動成果轉(zhuǎn)化、技術(shù)交易和產(chǎn)業(yè)投資的開放科技園區(qū)，促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和制度創(chuàng)新的卓越創(chuàng)新特區(qū)，打造先進(jìn)制造業(yè)的示范地、創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)的策源地、硬核科技的集聚地。
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院緊緊圍繞國家重大戰(zhàn)略需求和浙江省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，以數(shù)字化改革為引領(lǐng)，以寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率芯片和射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化為核心，以封裝測試和應(yīng)用技術(shù)作為服務(wù)支撐，擁有國際一流的大型儀器設(shè)備和超凈實驗室等研發(fā)設(shè)施，目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室，國內(nèi)唯一的全鏈條開放式寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用創(chuàng)新高能級科研平臺，研究院由楊德仁院士擔(dān)任首席科學(xué)家，學(xué)術(shù)委員會主任由鄭有炓院士擔(dān)任，院長由盛況教授擔(dān)任，整合浙江大學(xué)電氣學(xué)院、材料學(xué)院、信電學(xué)院以及上下游相關(guān)企業(yè)力量，著力打造第三代半導(dǎo)體研發(fā)、制造、應(yīng)用和測試評價全產(chǎn)業(yè)鏈的新格局，驅(qū)動浙江省、長三角地區(qū)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與轉(zhuǎn)型，以硬核科技成果支撐浙江省乃至全國相關(guān)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。
崗位條件及待遇保障
研究室及人才需求
在科創(chuàng)我們期待與這樣的您相遇
申請方式
有意向申請者請將詳細(xì)個人簡歷（包括個人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績、承擔(dān)科研項目情況、發(fā)表文章目錄、專利及獲獎情況等）整合為單一PDF文檔，以“姓名+研究室+學(xué)科方向+崗位 ”命名發(fā)送至郵箱：botong@zju.edu.cn
詳情請咨詢：0571-82995625
地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（啟動區(qū)塊）
更多招聘信息詳見浙大杭州科創(chuàng)中心官網(wǎng)：https://ehr.hic.zju.edu.cn
號外！引才薦賢獎
科創(chuàng)中心在尋覓“千里馬”的同時，也針對鳴知其意、慧眼識珠的“伯樂”，推出了引才薦賢獎！成功引薦頂尖人才、攻堅人才、青年人才并全職到科創(chuàng)中心工作的，分別給予稅前 20-50 萬/人、15-20 萬/人、3 萬/人的引才獎勵。歡迎您將優(yōu)秀的TA推薦給我們！
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院
現(xiàn)面向全球持續(xù)招募各類人才崗位，亟待各路英才加盟！
本招聘啟事長期有效，歡迎大家聯(lián)系和引薦！
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心成立于2019年2月28日，是新時代浙江大學(xué)和杭州市全面深化市校戰(zhàn)略合作共建的重大科技創(chuàng)新平臺，是浙江省深入貫徹習(xí)近平總書記考察浙江重要講話精神、全面落實省委十四屆七次全會部署、建設(shè)高水平創(chuàng)新型省份，打造“互聯(lián)網(wǎng)+”、新材料和生命健康三大科創(chuàng)高地的重大標(biāo)志性工程。科創(chuàng)中心致力建設(shè)面向人才培養(yǎng)、前沿科技和社會服務(wù)的新型大學(xué)校區(qū)，推動成果轉(zhuǎn)化、技術(shù)交易和產(chǎn)業(yè)投資的開放科技園區(qū)，促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新和制度創(chuàng)新的卓越創(chuàng)新特區(qū)，打造先進(jìn)制造業(yè)的示范地、創(chuàng)新經(jīng)濟(jì)的策源地、硬核科技的集聚地。
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院緊緊圍繞國家重大戰(zhàn)略需求和浙江省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，以數(shù)字化改革為引領(lǐng)，以寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率芯片和射頻芯片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化為核心，以封裝測試和應(yīng)用技術(shù)作為服務(wù)支撐，擁有國際一流的大型儀器設(shè)備和超凈實驗室等研發(fā)設(shè)施，目前已獲批浙江省寬禁帶功率半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室，國內(nèi)唯一的全鏈條開放式寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及應(yīng)用創(chuàng)新高能級科研平臺，研究院由楊德仁院士擔(dān)任首席科學(xué)家，學(xué)術(shù)委員會主任由鄭有炓院士擔(dān)任，院長由盛況教授擔(dān)任，整合浙江大學(xué)電氣學(xué)院、材料學(xué)院、信電學(xué)院以及上下游相關(guān)企業(yè)力量，著力打造第三代半導(dǎo)體研發(fā)、制造、應(yīng)用和測試評價全產(chǎn)業(yè)鏈的新格局，驅(qū)動浙江省、長三角地區(qū)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與轉(zhuǎn)型，以硬核科技成果支撐浙江省乃至全國相關(guān)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提高我國在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際競爭力和影響力。
崗位條件及待遇保障
| 崗位名稱 | 待遇保障 | 崗位申報條件 |
| 頂尖人才 | 科創(chuàng)中心為頂尖人才及其創(chuàng)新團(tuán)隊提供充足科研資助和有競爭力的薪酬保障，采取“一人一議、一事一議”的方式。 | 中國科學(xué)院和工程院院士、發(fā)達(dá)國家院士、諾貝爾獎獲得者、國際大獎獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外頂尖學(xué)者。 |
| 攻堅人才 |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策； （3）提供500-1200萬科研資助； （4）提供150m2+辦公、科研用房； （5）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備； （6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請人才配套用房； （7）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘教職崗位。 |
教育部“獎勵計劃”獲得者、國家杰出青年科學(xué)基金獲得者或相當(dāng)水平的海內(nèi)外領(lǐng)軍學(xué)者。 |
| 青年人才-“科創(chuàng)百人計劃”（求是科創(chuàng)學(xué)者） |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策； （3）提供300萬+科研資助； （4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間； （5）可兼聘至浙江大學(xué)相關(guān)院系，領(lǐng)域資深專家擔(dān)任職業(yè)導(dǎo)師； （6）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備； （7）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房； （8）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘/預(yù)聘教職崗位。 |
在海內(nèi)外高水平大學(xué)或研究機(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位；具有國際高水平大學(xué)助理教授相當(dāng)學(xué)術(shù)水平，或海內(nèi)外龍頭企業(yè)總工程師、副總工程師、技術(shù)總監(jiān)等職位相當(dāng)水平；能獨立發(fā)展一個學(xué)術(shù)或工程技術(shù)方向，有潛力成長為學(xué)術(shù)或技術(shù)帶頭人；年齡一般在35周歲左右，特別優(yōu)秀者可適當(dāng)放寬；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅實的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；有寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域院士或國際知名專家推薦者優(yōu)先考慮。 |
| 青年人才-科創(chuàng)青年人才 |
（1）提供有競爭力的市場化薪酬，具體一人一議； （2）符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策； （3）提供50-100萬科研資助； （4）提供良好的辦公環(huán)境和充足的研究空間； （5）提供“專人一站式”服務(wù)，共享科創(chuàng)中心大型儀器設(shè)備； （6）符合條件者可享受杭州市、蕭山區(qū)相應(yīng)人才政策，協(xié)助申請地方政府人才配套用房； （7）符合相關(guān)要求的，可申請浙江大學(xué)長聘/預(yù)聘教職崗位。 |
在國內(nèi)外頂尖高校或知名研究機(jī)構(gòu)獲得博士學(xué)位；在相關(guān)領(lǐng)域具有良好的學(xué)科背景、研究積累以及創(chuàng)新研究思路，有堅實的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣；具備作為獨立PI開展研究工作的能力；年齡一般不超過35周歲；具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等方向堅實的專業(yè)基礎(chǔ)和較深的學(xué)術(shù)造詣，對寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究領(lǐng)域有足夠的學(xué)科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學(xué)科研究者優(yōu)先考慮；原則上要求至少有一站博士后或兩年工作經(jīng)歷。 |
| 博士后研究人員 |
（1）根據(jù)科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應(yīng)屆博士畢業(yè)生另可獲得杭州市應(yīng)屆生生活補貼10萬元）； （2）對獲得中國博士后科學(xué)基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)分別給予相應(yīng)配套資助； （3）參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼； （4）提供一流的實驗與科學(xué)研究條件； （5）協(xié)助申請杭州市、蕭山區(qū)人才配套用房； （6）工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應(yīng)要求，可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者”崗位或技術(shù)開發(fā)崗位； （7）在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)；出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認(rèn)定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼； （8）入選者符合杭州市高層次人才標(biāo)準(zhǔn)的，可協(xié)助解決子女入園入托問題。 |
近三年內(nèi)獲得博士學(xué)位，身心健康，年齡不超過35周歲；具有相關(guān)學(xué)科背景；有較強(qiáng)的團(tuán)隊合作意識和獨立科研工作能力；具備良好的英語聽說讀寫能力；能夠全職從事博士后工作，無博士后退站經(jīng)歷。 |
在科創(chuàng)我們期待與這樣的您相遇
| 序號 | 全名 | 重點引進(jìn)方向 | 需求專業(yè) |
| 1 | 半導(dǎo)體材料研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
寬禁帶半導(dǎo)體材料（包括但不限于以下方向）： 碳化硅單晶的生長、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷、碳化硅的電化學(xué)、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新穎原型器件、氮化鎵薄膜的外延、半導(dǎo)體金剛石單晶薄膜的生長、氧化鎵單晶的生長、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷、寬禁帶半導(dǎo)體材料與二維材料的前沿交叉、寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備和加工設(shè)備。 |
物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè) |
| 2 | 功率芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
寬禁帶半導(dǎo)體器件（包括但不限于以下方向）： 碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氧化鎵功率器件、其他寬禁帶功率器件、單芯片集成技術(shù)、多芯片集成技術(shù)、芯片散熱技術(shù)、能量收集技術(shù)、寬禁帶傳感技術(shù)芯片、其他寬禁帶技術(shù)等。 |
物理、材料、微電子、電氣工程、化學(xué)等相關(guān)專業(yè) |
| 3 | 封裝測試研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才、青年人才及博士后） |
封裝測試和應(yīng)用（包括但不限于以下方向）： 功率器件的封裝、其他相關(guān)器件的封裝、模塊集成測試技術(shù)和電力電子裝置的開發(fā)。 |
物理、材料、電氣工程、微電子等相關(guān)專業(yè) |
| 4 | 射頻芯片研究室（該研究室招聘頂尖人才、攻堅人才） |
射頻芯片（包括但不限于以下方向）： 氮化鎵射頻器件、氧化鎵射頻器件、金剛石射頻器件、射頻芯片設(shè)計開發(fā)（如功率放大器、低噪聲放大器、開關(guān)、混頻器、微波控制芯片、頻率變換芯片、微波多功能芯片等）。 |
微電子、電磁場與微波、電子工程、半導(dǎo)體器件與工藝、凝聚態(tài)物理、信息處理技術(shù)、軟件開發(fā)與計算機(jī)應(yīng)用技術(shù)、自動控制與系統(tǒng)工程、傳感器與執(zhí)行器技術(shù)等相關(guān)專業(yè) |
| 5 | MEMS實驗室（該實驗室招聘攻堅人才） |
MEMS（包括但不限于以下方向）： 薄膜體聲波諧振器（FBAR）技術(shù)、聲表面波（SAW）技術(shù)、射頻有源無源異質(zhì)異構(gòu)單片集成技術(shù)、5G/6G射頻濾波器開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。 |
電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、物理、材料、通信等相關(guān)專業(yè) |
有意向申請者請將詳細(xì)個人簡歷（包括個人基本信息、學(xué)習(xí)和工作經(jīng)歷、主要學(xué)術(shù)成績、承擔(dān)科研項目情況、發(fā)表文章目錄、專利及獲獎情況等）整合為單一PDF文檔，以“姓名+研究室+學(xué)科方向+崗位 ”命名發(fā)送至郵箱：botong@zju.edu.cn
詳情請咨詢：0571-82995625
地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設(shè)三路733號浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（啟動區(qū)塊）
更多招聘信息詳見浙大杭州科創(chuàng)中心官網(wǎng)：https://ehr.hic.zju.edu.cn
號外！引才薦賢獎
科創(chuàng)中心在尋覓“千里馬”的同時，也針對鳴知其意、慧眼識珠的“伯樂”，推出了引才薦賢獎！成功引薦頂尖人才、攻堅人才、青年人才并全職到科創(chuàng)中心工作的，分別給予稅前 20-50 萬/人、15-20 萬/人、3 萬/人的引才獎勵。歡迎您將優(yōu)秀的TA推薦給我們！
浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院
現(xiàn)面向全球持續(xù)招募各類人才崗位，亟待各路英才加盟！
本招聘啟事長期有效，歡迎大家聯(lián)系和引薦！
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標(biāo)題格式：應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng)）
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
聲明提示：凡本網(wǎng)注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網(wǎng)轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息及方便產(chǎn)業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，文章內(nèi)容僅供參考。
